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Électronique des hautes fréquences
Cód:
491_9786131550058
De: R$ 0,00Por: R$ 770,30ou X de
Ces travaux de recherche se rapportent à létude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour lamplification de puissance micro-onde. Une étude des caractéristiques des matériaux grand gap et plus particulièrement du GaN est réalisée afin de mettre en exergue ladéquation de leurs propriétés pour des applications de puissance hyperfréquence telle que lamplification large bande. Dans ce contexte, des résultats de caractérisations et modélisations électriques de composants passifs et actifs sont présentés. Les composants passifs dédiés aux conceptions de circuits MMIC sont décrits et différentes méthodes doptimisation que ce soit au niveau électrique ou électromagnétique sont explicitées. Les modèles non linéaires de transistors impliqués dans nos conceptions sont de même détaillés. Le fruit de ces travaux concerne la conception damplificateurs distribués de puissance large bande à base de cellules cascode de HEMTs GaN, lun étant reportés en flip-chip sur un substrat dAlN, le second en technologie MMIC. La version MMIC permet datteindre 6.3W sur la bande 4-18GHz à 2dB de compression. Ces résultats révèlent les fortes potentialités attendues des composants HEMTs GaN.
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