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Etude par spectrometrie mössbauer demission du sulfure de cadmium
Cód:
491_9786131526572
Le développement très remarqué des technologies basées sur lélectronique, loptique et loptoélectronique a été rendu possible grâce aux avancées réalisées dans les domaines de conception des semi-conducteurs et de compréhension de leurs propriétés électroniques, optiques et structurales. Létude de ces composés se trouve confrontée à des problèmes liés à la présence et à la diffusion des imperfections. Létude des semi-conducteurs en couches minces constitue depuis longtemps un axe majeur de la recherche scientifique. Les méthodes VPE et CVD sont très utilisées pour la croissance cristalline et la spectromètrie Mössbauer occupe une place particulière dans létude et la détection des défauts. Ce livre donne un résumé sur la nature des inperfections et leurs mécanismes de diffusion dans les semi-conducteurs. Il présente également une explication détaillée du principe de leffet Mössbauer et de la technique de spectrométrie Mössbauer. Une autre grande partie de ce livre est consacrée à la présentation dune étude détaillée sur la conception par la méthode VPE-CVD des couches minces du sulfure de cadmium (CdS) et leurs analyses par spectrométrie Mössbauer.
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