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Modélisation du courant drain induit par la grille
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491_9783841789563

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En se basant sur le modèle des bandes dénergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. Leffet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à lexistence dun champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à leffet tunnel bande à bande nest plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans loxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états dinterface afin de clarifier limpact des états dinterface sur le courant de fuite.
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